Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDMA1029PZ
L'imaghjini hè per riferimentu, per piacè cuntattateci per avè a vera stampa
FDMA1029PZ
| Numero di parte di u fabricatore: | FDMA1029PZ |
| U fabricatore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Parte di Description: | MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET |
| Datasheets: | FDMA1029PZ Datasheets |
| Status senza piombo / Status RoHS: | Senza piombo / Conforme à RoHS |
| Cundizione di u Stock: | In magazinu |
| Navi da: | Hong Kong |
| Modalità di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARCA
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA1029PZ hè dispunibule à chipnets.com. Vendemu solu Parte Novu è Originale è offre un tempu di garanzia di 1 annu. Se vulete sapè di più nantu à i prudutti o applicà più prezzu megliu, per piacè cuntattateci cliccate nant'à u Chat Online o mandate una citazione per noi.
Tutti i cumpunenti di l'elettronica seranu imballati in modu assai sicuru da a prutezzione antistatica ESD.
Specificazione
| Tipu | Descrizzione |
|---|---|
| Serie | PowerTrench® |
| Pacchettu | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Statutu di a Parte | Active |
| Tipu FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione di Scaricamentu à Sorgente (Vdss) | 20V |
| Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura Operativa | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipu di Montaggio | Surface Mount |
| Pacchettu / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Package di Dispositivi di Fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
Status Stock: 15622
Minimu: 1
| Quantità | Prezzu Unitu | Ext. prezzu |
|---|---|---|
U prezzu ùn hè micca dispunibule, per piacè RFQ |
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U calculu di trasportu
US $ 40 da FedEx.
Arrivà in 3-5 ghjorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita nantu à i primi 0,5 kg per ordini di più di 150 $, u sovrappesu sarà addebitatu separatamente
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