SIS888DN-T1-GE3

Numero di parte di u fabricatore:	SIS888DN-T1-GE3
U fabricatore:	Vishay / Siliconix
Parte di Description:	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Datasheets:	SIS888DN-T1-GE3 Datasheets
Status senza piombo / Status RoHS:	Senza piombo / Conforme à RoHS
Cundizione di u Stock:	In magazinu
Navi da:	Hong Kong
Modalità di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARCA: Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 hè dispunibule à chipnets.com. Vendemu solu Parte Novu è Originale è offre un tempu di garanzia di 1 annu. Se vulete sapè di più nantu à i prudutti o applicà più prezzu megliu, per piacè cuntattateci cliccate nant'à u Chat Online o mandate una citazione per noi.

Tutti i cumpunenti di l'elettronica seranu imballati in modu assai sicuru da a prutezzione antistatica ESD.

package

Specificazione

Tipu	Descrizzione
Serie	ThunderFET®
Pacchettu	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Statutu di a Parte	Active
Tipu FET	N-Channel
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di Scaricamentu à Sorgente (Vdss)	150 V
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
Funzione FET	-
Dissipazione di Potenza (Max)	52W (Tc)
Temperatura Operativa	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipu di Montaggio	Surface Mount
Package di Dispositivi di Fornitore	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacchettu / Case	PowerPAK® 1212-8S

OPZIONI DI COMPRA

Status Stock: 3097

Minimu: 1

Quantità	Prezzu Unitu	Ext. prezzu
U prezzu ùn hè micca dispunibule, per piacè RFQ

U calculu di trasportu

US $ 40 da FedEx.

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita nantu à i primi 0,5 kg per ordini di più di 150 $, u sovrappesu sarà addebitatu separatamente

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