Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN13008NH,L1Q
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TPN13008NH,L1Q
| Numero di parte di u fabricatore: | TPN13008NH,L1Q |
| U fabricatore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte di Description: | MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON |
| Datasheets: | TPN13008NH,L1Q Datasheets |
| Status senza piombo / Status RoHS: | Senza piombo / Conforme à RoHS |
| Cundizione di u Stock: | In magazinu |
| Navi da: | Hong Kong |
| Modalità di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARCA
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN13008NH,L1Q hè dispunibule à chipnets.com. Vendemu solu Parte Novu è Originale è offre un tempu di garanzia di 1 annu. Se vulete sapè di più nantu à i prudutti o applicà più prezzu megliu, per piacè cuntattateci cliccate nant'à u Chat Online o mandate una citazione per noi.
| Tipu | Descrizzione |
|---|---|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Pacchettu | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Statutu di a Parte | Active |
| Tipu FET | N-Channel |
| Tecnulugia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione di Scaricamentu à Sorgente (Vdss) | 80 V |
| Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.3mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 40 V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di Potenza (Max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura Operativa | 150°C (TJ) |
| Tipu di Montaggio | Surface Mount |
| Package di Dispositivi di Fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchettu / Case | 8-PowerVDFN |
Status Stock: 1913
Minimu: 1
| Quantità | Prezzu Unitu | Ext. prezzu |
|---|---|---|
U prezzu ùn hè micca dispunibule, per piacè RFQ |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivà in 3-5 ghjorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita nantu à i primi 0,5 kg per ordini di più di 150 $, u sovrappesu sarà addebitatu separatamente
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