RQ3E080BNTB

Numero di parte di u fabricatore:	RQ3E080BNTB
U fabricatore:	ROHM Semiconductor
Parte di Description:	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Datasheets:	RQ3E080BNTB Datasheets
Status senza piombo / Status RoHS:	Senza piombo / Conforme à RoHS
Cundizione di u Stock:	In magazinu
Navi da:	Hong Kong
Modalità di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARCA: ROHM Semiconductor RQ3E080BNTB hè dispunibule à chipnets.com. Vendemu solu Parte Novu è Originale è offre un tempu di garanzia di 1 annu. Se vulete sapè di più nantu à i prudutti o applicà più prezzu megliu, per piacè cuntattateci cliccate nant'à u Chat Online o mandate una citazione per noi.

Tutti i cumpunenti di l'elettronica seranu imballati in modu assai sicuru da a prutezzione antistatica ESD.

package

Specificazione

Tipu	Descrizzione
Serie	-
Pacchettu	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Statutu di a Parte	Active
Tipu FET	N-Channel
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di Scaricamentu à Sorgente (Vdss)	30 V
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di Potenza (Max)	2W (Ta)
Temperatura Operativa	150°C (TJ)
Tipu di Montaggio	Surface Mount
Package di Dispositivi di Fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Pacchettu / Case	8-PowerVDFN

OPZIONI DI COMPRA

Status Stock: 1208

Minimu: 1

Quantità	Prezzu Unitu	Ext. prezzu
U prezzu ùn hè micca dispunibule, per piacè RFQ

U calculu di trasportu

US $ 40 da FedEx.

Arrivà in 3-5 ghjorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita nantu à i primi 0,5 kg per ordini di più di 150 $, u sovrappesu sarà addebitatu separatamente

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