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IR (Infineon Technologies) / BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1

Numero di parte di u fabricatore: BSZ12DN20NS3GATMA1
U fabricatore: IR (Infineon Technologies)
Parte di Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Datasheets: BSZ12DN20NS3GATMA1 Datasheets
Status senza piombo / Status RoHS: Senza piombo / Conforme à RoHS
Cundizione di u Stock: In magazinu
Navi da: Hong Kong
Modalità di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARCA
IR (Infineon Technologies) BSZ12DN20NS3GATMA1 hè dispunibule à chipnets.com. Vendemu solu Parte Novu è Originale è offre un tempu di garanzia di 1 annu. Se vulete sapè di più nantu à i prudutti o applicà più prezzu megliu, per piacè cuntattateci cliccate nant'à u Chat Online o mandate una citazione per noi.
Tutti i cumpunenti di l'elettronica seranu imballati in modu assai sicuru da a prutezzione antistatica ESD.

package

Specificazione
Tipu Descrizzione
SerieOptiMOS™
PacchettuTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Statutu di a ParteActive
Tipu FETN-Channel
TecnulugiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione di Scaricamentu à Sorgente (Vdss)200 V
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C11.3A (Tc)
Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 100 V
Funzione FET-
Dissipazione di Potenza (Max)50W (Tc)
Temperatura Operativa-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipu di MontaggioSurface Mount
Package di Dispositivi di FornitorePG-TSDSON-8
Pacchettu / Case8-PowerTDFN
OPZIONI DI COMPRA

Status Stock: 2804

Minimu: 1

Quantità Prezzu Unitu Ext. prezzu

U prezzu ùn hè micca dispunibule, per piacè RFQ

U calculu di trasportu

US $ 40 da FedEx.

Arrivà in 3-5 ghjorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita nantu à i primi 0,5 kg per ordini di più di 150 $, u sovrappesu sarà addebitatu separatamente

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