IR (Infineon Technologies) / IRFL024ZPBF
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IRFL024ZPBF
| Numero di parte di u fabricatore: | IRFL024ZPBF |
| U fabricatore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte di Description: | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 |
| Datasheets: | IRFL024ZPBF Datasheets |
| Status senza piombo / Status RoHS: | Senza piombo / Conforme à RoHS |
| Cundizione di u Stock: | In magazinu |
| Navi da: | Hong Kong |
| Modalità di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARCA
- IR (Infineon Technologies) IRFL024ZPBF hè dispunibule à chipnets.com. Vendemu solu Parte Novu è Originale è offre un tempu di garanzia di 1 annu. Se vulete sapè di più nantu à i prudutti o applicà più prezzu megliu, per piacè cuntattateci cliccate nant'à u Chat Online o mandate una citazione per noi.
Tutti i cumpunenti di l'elettronica seranu imballati in modu assai sicuru da a prutezzione antistatica ESD.
Specificazione
| Tipu | Descrizzione |
|---|---|
| Serie | HEXFET® |
| Pacchettu | Tube |
| Statutu di a Parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipu FET | N-Channel |
| Tecnulugia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione di Scaricamentu à Sorgente (Vdss) | 55 V |
| Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57.5mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di Potenza (Max) | 1W (Ta) |
| Temperatura Operativa | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipu di Montaggio | Surface Mount |
| Package di Dispositivi di Fornitore | SOT-223 |
| Pacchettu / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Status Stock: Spedizione u stessu ghjornu
Minimu: 1
| Quantità | Prezzu Unitu | Ext. prezzu |
|---|---|---|
U prezzu ùn hè micca dispunibule, per piacè RFQ |
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U calculu di trasportu
US $ 40 da FedEx.
Arrivà in 3-5 ghjorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita nantu à i primi 0,5 kg per ordini di più di 150 $, u sovrappesu sarà addebitatu separatamente
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